EPC2012C
Active - GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Descrição:
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
EPC2012C Especificação
Atributo do Produto
Valor do Atributo
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
200 V
Corrente - Drenagem contínua (Id) @ 25 ℃
5A (Ta)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)
5V
(Max) @ Id
100mOhm @ 3A, 5V
Carga de porta (Qg) (Max) @ Vgs
2.5V @ 1mA
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
+6V, -4V
Recurso FET
140 pF @ 100 V
Dissipação de energia (Max)
-
Temperatura operacional
-
Tipo de montagem
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Dispositivo do fornecedor Pacote
Surface Mount
EPC2012C Inventário: 22550
5.0 / 5.0
2021-06-10 07:32
Recuar em 89 dias, tira, para testar
2021-11-23 06:50
Tudo ok, obrigado!
2021-12-23 03:52
Está bem. Recebido dentro do prazo
2021-02-06 23:42
Recebido perfeitamente. Soldada uma unidade em sua placa de circuito impresso correspondente funcionando perfeitamente para substituir uma unidade defeituosa em uma placa Arduino Nano.
2021-08-04 23:28
2 semanas para a entrega. As fichas funcionam bem
France
