EPC2022
Active - GANFET N-CH 100V 90A DIE
Descrição:
GANFET N-CH 100V 90A DIE
EPC2022 Especificação
Atributo do Produto
Valor do Atributo
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Drenagem contínua (Id) @ 25 ℃
90A (Ta)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)
5V
(Max) @ Id
3.2mOhm @ 25A, 5V
Carga de porta (Qg) (Max) @ Vgs
2.5V @ 12mA
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
+6V, -4V
Recurso FET
1500 pF @ 50 V
Dissipação de energia (Max)
-
Temperatura operacional
-
Tipo de montagem
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Dispositivo do fornecedor Pacote
Surface Mount
United States
