EPC2065
Active - GAN FET 80V .0036OHM 8BUMP DIE
Descrição:
GAN FET 80V .0036OHM 8BUMP DIE
EPC2065 Especificação
Atributo do Produto
Valor do Atributo
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
80 V
Corrente - Drenagem contínua (Id) @ 25 ℃
60A (Ta)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)
5V
(Max) @ Id
3.6mOhm @ 25A, 5V
Carga de porta (Qg) (Max) @ Vgs
2.5V @ 7mA
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
+6V, -4V
Recurso FET
1449 pF @ 40 V
Dissipação de energia (Max)
Standard
Temperatura operacional
-
Tipo de montagem
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Dispositivo do fornecedor Pacote
Surface Mount
EPC2065 Inventário: 44760
5.0 / 5.0
2023-01-12 21:46
Produto recebido conforme a descrição, prazos de entrega rápidos, tudo bom e funcionando.
2023-01-11 19:52
Estou muito satisfeito
2023-01-10 23:54
Fazer as malas bem, vou exagerar.
2023-01-10 23:27
Tudo correto, envio rápido.
2023-01-10 09:19
Envio rápido. Perfeito!
Italy
