EPC2219
Active - TRANS GAN 65V AECQ101 3.3OHM DIE
Descrição:
TRANS GAN 65V AECQ101 3.3OHM DIE
EPC2219 Especificação
Atributo do Produto
Valor do Atributo
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
65 V
Corrente - Drenagem contínua (Id) @ 25 ℃
500mA (Ta)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)
5V
(Max) @ Id
3.3Ohm @ 59mA, 5V
Carga de porta (Qg) (Max) @ Vgs
2.5V @ 100μA
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
Recurso FET
10 pF @ 32.5 V
Dissipação de energia (Max)
-
Temperatura operacional
-
Tipo de montagem
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Dispositivo do fornecedor Pacote
Surface Mount
EPC2219 Inventário: 8300
5.0 / 5.0
2023-01-10 13:14
Novo e tudo testado ok
2023-01-12 21:46
Produto recebido conforme a descrição, prazos de entrega rápidos, tudo bom e funcionando.
2023-01-11 19:52
Estou muito satisfeito
2023-01-10 23:54
Fazer as malas bem, vou exagerar.
2023-01-10 23:27
Tudo correto, envio rápido.
France
