Categorias
Recém-chegados
Qualidade
Avaliações
Home  /  Semicondutores discretos  /  Transistores - FETs, MOSFETs - Simples  /  EPC EPC8010

EPC8010

Active Icon Active - GANFET N-CH 100V 4A DIE
EPC8010
EPC8010
EPC
Fabricante:
Parte Mfr #
Ficha Técnica:
Descrição:
GANFET N-CH 100V 4A DIE
 
3D Model Icon

EPC8010 Especificação

Atributo do Produto
Valor do Atributo
Fabricante
Série
eGaN
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Estado do Produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Drenagem contínua (Id) @ 25 ℃
4A (Ta)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)
5V
(Max) @ Id
160mOhm @ 500mA, 5V
Carga de porta (Qg) (Max) @ Vgs
2.5V @ 250μA
Vgs (Max)
0.48 nC @ 5 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
+6V, -4V
Recurso FET
55 pF @ 50 V
Dissipação de energia (Max)
-
Temperatura operacional
-
Tipo de montagem
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Dispositivo do fornecedor Pacote
Surface Mount
Pacote / Estojo
Die

EPC8010 Inventário: 920

Histórico Preço
$2.14000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Tiziana Ricci
Location Icon Italy
5 stars
2023-01-12 21:46
Produto recebido conforme a descrição, prazos de entrega rápidos, tudo bom e funcionando.
Author Icon
Tiffany Johnson
Location Icon United States
5 stars
2023-01-11 19:52
Estou muito satisfeito
Author Icon
Livia de Vries
Location Icon Netherlands
5 stars
2023-01-10 23:54
Fazer as malas bem, vou exagerar.
Author Icon
Ricardo Salazar
Location Icon Spain
5 stars
2023-01-10 23:27
Tudo correto, envio rápido.
Author Icon
Émilie Lefebvre
Location Icon France
5 stars
2023-01-10 09:19
Envio rápido. Perfeito!

EPC8010 Peças Relacionadas

EPC2218
EPC2001C
EPC2053
EPC2012
EPC2016
EPC2054
EPC2007
EPC2034
EPC2045
EPC2052
EPC8004
EPC2007C
Pedido de Cotação
Número da peça *
Fabricante
Pessoa de Contacto *
Email *
Quantidade *
País de Entrega *