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MBR60030CTRL

Obsolete - DIODE SCHOTTKY 30V 300A 2 TOWER

MBR60030CTRL

GeneSiC Semiconductor

Fabricante:

GeneSiC Semiconductor

Parte Mfr #

Categoria:

Diodos - Retificadores - Matrizes

Ficha Técnica:

Descrição:

DIODE SCHOTTKY 30V 300A 2 TOWER

MBR60030CTRL Especificação

Atributo do Produto

Valor do Atributo

Categoria

Diodos - Retificadores - Matrizes

Fabricante

GeneSiC Semiconductor

Série

-

Embalagem

Bulk

Estado do Produto

Obsolete

Configuração do Diodo

1 Pair Common Anode

Tipo de Diodo

Schottky

Tensão - DC Reversa (Vr) (Max)

30 V

Corrente - Média Retificada (Io) (por Diodo)

300A

Tensão - Direta (Vf) (Max) @ If

580 mV @ 300 A

Velocidade

Fast Recovery = 200mA (Io)

Tempo de recuperação reversa (trr)

-

Corrente - Vazamento reverso @ Vr

3 mA @ 30 V

Temperatura operacional - Junção

-55 ℃ ~ 150 ℃

Tipo de montagem

Chassis Mount

Pacote / caixa

Twin Tower

Pacote do dispositivo do fornecedor

Twin Tower

MBR60030CTRL Inventário: 33175

Histórico Preço

Obsolete

Certificates

5.0 / 5.0

Margaux Charpentier

France

2023-01-10 13:14

Novo e tudo testado ok

Tiziana Ricci

Italy

2023-01-12 21:46

Produto recebido conforme a descrição, prazos de entrega rápidos, tudo bom e funcionando.

Tiffany Johnson

United States

2023-01-11 19:52

Estou muito satisfeito

Livia de Vries

Netherlands

2023-01-10 23:54

Fazer as malas bem, vou exagerar.

Ricardo Salazar

Spain

2023-01-10 23:27

Tudo correto, envio rápido.

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