NTE5825
Active - DIODE GEN PURP 1KV 12A DO4
Descrição:
DIODE GEN PURP 1KV 12A DO4
NTE5825 Especificação
Atributo do Produto
Valor do Atributo
Tensão - DC reversa (Vr) (Max)
1000 V
Corrente - Média retificada (Io)
12A
Tensão - direta (Vf) (Max) @ If
1.4 V @ 12 A
Velocidade
Fast Recovery = 200mA (Io)
Tempo de recuperação reversa (trr)
400 ns
Corrente - Vazamento reverso @ Vr
25 μA @ 1000 V
Tipo de montagem
Stud Mount
Pacote / Caixa
DO-203AA, DO-4, Stud
Pacote do dispositivo do fornecedor
DO-4
Temperatura operacional - Junção
-65 ℃ ~ 150 ℃
United States
