NTE5852
Active - DIODE GEN PURP 100V 6A DO4
Descrição:
DIODE GEN PURP 100V 6A DO4
NTE5852 Especificação
Atributo do Produto
Valor do Atributo
Tensão - DC reversa (Vr) (Max)
100 V
Corrente - Média retificada (Io)
6A
Tensão - direta (Vf) (Max) @ If
1.1 V @ 19 A
Velocidade
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Tempo de recuperação reversa (trr)
-
Corrente - Vazamento reverso @ Vr
12 mA @ 100 V
Tipo de montagem
Stud Mount
Pacote / Caixa
DO-203AA, DO-4, Stud
Pacote do dispositivo do fornecedor
DO-4
Temperatura operacional - Junção
-65 ℃ ~ 175 ℃
United States
