NTE649G
Active - DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
Descrição:
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
NTE649G Especificação
Atributo do Produto
Valor do Atributo
Tensão - DC reversa (Vr) (Max)
400 V
Corrente - Média retificada (Io)
1A
Tensão - direta (Vf) (Max) @ If
1.3 V @ 1 A
Velocidade
Fast Recovery = 200mA (Io)
Tempo de recuperação reversa (trr)
150 ns
Corrente - Vazamento reverso @ Vr
5 μA @ 400 V
Capacitância @ Vr, F
10pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Caixa
DO-214AC, SMA
Pacote do dispositivo do fornecedor
DO-214AC (SMA)
Temperatura operacional - Junção
-55 ℃ ~ 150 ℃
NTE649G Inventário: 48330
5.0 / 5.0
2023-01-12 09:22
Comprei pela segunda vez. Coloco 4 das primeiras 5 peças, funcionam. As pernas estão mordidas, há incômodos na instalação. Mas o preço é bom
2023-01-10 13:14
Novo e tudo testado ok
2023-01-12 21:46
Produto recebido conforme a descrição, prazos de entrega rápidos, tudo bom e funcionando.
2023-01-11 19:52
Estou muito satisfeito
2023-01-10 23:54
Fazer as malas bem, vou exagerar.
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