FDA28N50F
Active - MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN
Descrição:
MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN
FDA28N50F Especificação
Atributo do Produto
Valor do Atributo
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
500 V
Corrente - Drenagem contínua (Id) @ 25 ℃
28A (Tc)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)
10V
(Max) @ Id
175mOhm @ 14A, 10V
Carga de porta (Qg) (Max) @ Vgs
5V @ 250μA
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
?0V
Recurso FET
5387 pF @ 25 V
Dissipação de energia (Max)
-
Temperatura operacional
310W (Tc)
Tipo de montagem
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Dispositivo do fornecedor Pacote
Through Hole
United States
