FDB3860
Obsolete - MOSFET N-CH 100V 6.4A/30A TO263
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 6.4A/30A TO263
FDB3860 Especificação
Atributo do Produto
Valor do Atributo
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Estado do Produto
Obsolete
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Drenagem contínua (Id) @ 25 ℃
6.4A (Ta), 30A (Tc)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)
10V
(Max) @ Id
37mOhm @ 5.9A, 10V
Carga de porta (Qg) (Max) @ Vgs
4.5V @ 250μA
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
?0V
Recurso FET
1740 pF @ 50 V
Dissipação de energia (Max)
-
Temperatura operacional
3.1W (Ta), 71W (Tc)
Tipo de montagem
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Dispositivo do fornecedor Pacote
Surface Mount
Pacote / Estojo
D2PAK (TO-263)
United States
