FDS2670
Active - MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Descrição:
MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
FDS2670 Especificação
Atributo do Produto
Valor do Atributo
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
200 V
Corrente - Drenagem contínua (Id) @ 25 ℃
3A (Ta)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)
10V
(Max) @ Id
130mOhm @ 3A, 10V
Carga de porta (Qg) (Max) @ Vgs
4.5V @ 250μA
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
?0V
Recurso FET
1228 pF @ 100 V
Dissipação de energia (Max)
-
Temperatura operacional
2.5W (Ta)
Tipo de montagem
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Dispositivo do fornecedor Pacote
Surface Mount
FDS2670 Inventário: 4880
5.0 / 5.0
2023-01-12 21:46
Produto recebido conforme a descrição, prazos de entrega rápidos, tudo bom e funcionando.
2023-01-11 19:52
Estou muito satisfeito
2023-01-10 23:54
Fazer as malas bem, vou exagerar.
2023-01-10 23:27
Tudo correto, envio rápido.
2023-01-10 09:19
Envio rápido. Perfeito!
Italy
