FDS6575
Active - MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
Descrição:
MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
FDS6575 Especificação
Atributo do Produto
Valor do Atributo
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Drenagem contínua (Id) @ 25 ℃
10A (Ta)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
(Max) @ Id
13mOhm @ 10A, 4.5V
Carga de porta (Qg) (Max) @ Vgs
1.5V @ 250μA
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
?V
Recurso FET
4951 pF @ 10 V
Dissipação de energia (Max)
-
Temperatura operacional
2.5W (Ta)
Tipo de montagem
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Dispositivo do fornecedor Pacote
Surface Mount
FDS6575 Inventário: 9480
5.0 / 5.0
2023-01-10 23:54
Fazer as malas bem, vou exagerar.
2023-01-10 23:27
Tudo correto, envio rápido.
2023-01-10 09:19
Envio rápido. Perfeito!
2023-01-11 13:44
Espero que funcionem bem, nunca tentei
2022-10-13 07:23
Perfeito: envio rápido para a Itália, item conforme descrito.
Netherlands
