FDS86106
Active - MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC
FDS86106 Especificação
Atributo do Produto
Valor do Atributo
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Drenagem contínua (Id) @ 25 ℃
3.4A (Ta)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
(Max) @ Id
105mOhm @ 3.4A, 10V
Carga de porta (Qg) (Max) @ Vgs
4V @ 250μA
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
?0V
Recurso FET
208 pF @ 50 V
Dissipação de energia (Max)
-
Temperatura operacional
5W (Ta)
Tipo de montagem
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Dispositivo do fornecedor Pacote
Surface Mount
United States
