FDS8884
Active - MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
FDS8884 Especificação
Atributo do Produto
Valor do Atributo
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Drenagem contínua (Id) @ 25 ℃
8.5A (Ta)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
(Max) @ Id
23mOhm @ 8.5A, 10V
Carga de porta (Qg) (Max) @ Vgs
2.5V @ 250μA
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
?0V
Recurso FET
635 pF @ 15 V
Dissipação de energia (Max)
-
Temperatura operacional
2.5W (Ta)
Tipo de montagem
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Dispositivo do fornecedor Pacote
Surface Mount
FDS8884 Inventário: 34020
5.0 / 5.0
2023-01-10 23:27
Tudo correto, envio rápido.
2023-01-10 09:19
Envio rápido. Perfeito!
2023-01-11 13:44
Espero que funcionem bem, nunca tentei
2022-10-13 07:23
Perfeito: envio rápido para a Itália, item conforme descrito.
2023-01-10 10:14
Estou muito satisfeito
Spain
