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K4RHE086VB-BCWM

Active - IC DRAM DDR5 24 Gb 5600 Mbps

Fabricante:

Samsung Semiconductor

Parte Mfr #

K4RHE086VB-BCWM

Categoria:

Memória

Ficha Técnica:

K4RHE086VB-BCWM

Descrição:

IC DRAM DDR5 24 Gb 5600 Mbps

K4RHE086VB-BCWM Especificação

Atributo do Produto

Valor do Atributo

Categoria

Memória

Fabricante

Samsung Semiconductor

Série

-

Embalagem

Tray

Estado do Produto

Active

Tipo de memória

Volatile

Formato de memória

DRAM

Tecnologia

DDR5

Tamanho da memória

24 Gb

Organização da memória

2G x 8

Interface de memória

Parallel

Frequência do relógio

-

Tempo de ciclo de gravação - Palavra, página

-

Tempo de acesso

-

Tensão - Alimentação

1.1 V

Temperatura operacional

0 ~ 85 ℃

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote / caixa

82 FBGA

Pacote de dispositivo do fornecedor

82 FBGA

K4RHE086VB-BCWM Inventário: 26900

Histórico Preço

0

5.0 / 5.0

Léonie Caron

France

2021-08-02 07:24

Feltro marcação na embalagem não muito legível (confusão possível)! Sem isso, conforme-se! Obrigado vendedor!

Charles Reed

United States

2021-12-31 23:06

Bom produto e funcionar corretamente.

Quentin Giraud

France

2021-07-09 02:45

Bem recebido, ainda não testado

Jukka Laakso

Finland

2021-12-03 00:22

Eu encomendo 10pcs. Agora teste três chips e dois foi ID 0x441, que é STM32F412, não STM32F407. Estou muito desapontado.

Kęstutis Darius

Lithuania

2021-12-27 06:22

Os bens estão muito satisfeitos, o vendedor Muito obrigado.

K4RHE086VB-BCWM

K4RHE086VB-BCWM Especificação

K4RHE086VB-BCWM Inventário: 26900

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