STD100N10F7
Active - MOSFET N CH 100V 80A DPAK
Descrição:
MOSFET N CH 100V 80A DPAK
STD100N10F7 Especificação
Atributo do Produto
Valor do Atributo
Série
DeepGATE, STripFET VII
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Drenagem contínua (Id) @ 25 ℃
80A (Tc)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)
10V
(Max) @ Id
8mOhm @ 40A, 10V
Carga de porta (Qg) (Max) @ Vgs
4.5V @ 250μA
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
?0V
Recurso FET
4369 pF @ 50 V
Dissipação de energia (Max)
-
Temperatura operacional
120W (Tc)
Tipo de montagem
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Dispositivo do fornecedor Pacote
Surface Mount
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United States
