STL8N65M2
Active - MOSFET N-CH 650V 5A PWRFLAT56 HV
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 5A PWRFLAT56 HV
STL8N65M2 Especificação
Atributo do Produto
Valor do Atributo
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Drenagem contínua (Id) @ 25 ℃
4A (Tc)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)
10V
(Max) @ Id
1.25Ohm @ 2A, 10V
Carga de porta (Qg) (Max) @ Vgs
4V @ 250μA
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
?5V
Recurso FET
270 pF @ 100 V
Dissipação de energia (Max)
-
Temperatura operacional
48W (Tc)
Tipo de montagem
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Dispositivo do fornecedor Pacote
Surface Mount
Pacote / Estojo
PowerFlat? (5x6) HV
United States
