C3M0160120D
Active - SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3
Descrição:
SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3
C3M0160120D Especificação
Atributo do Produto
Valor do Atributo
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1200 V
Corrente - Drenagem contínua (Id) @ 25 ℃
17A (Tc)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)
15V
(Max) @ Id
208mOhm @ 8.5A, 15V
Carga de porta (Qg) (Max) @ Vgs
3.6V @ 2.33mA
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
+15V, -4V
Recurso FET
632 pF @ 1000 V
Dissipação de energia (Max)
-
Temperatura operacional
97W (Tc)
Tipo de montagem
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Dispositivo do fornecedor Pacote
Through Hole
C3M0160120D Inventário: 17390
5.0 / 5.0
2023-01-11 00:29
O artigo funciona perfeitamente. Entrega muito rápida - em 10 dias. Bem embalado e protegido.
2023-01-11 05:59
Entrega muito rápida (chegou em 8 dias). Qualidade muito boa. Feedback 5/5!
Reparo da Sapphire Rx 480 8GB. Reparo bem-sucedido. Obrigado!
2023-01-12 09:22
Comprei pela segunda vez. Coloco 4 das primeiras 5 peças, funcionam. As pernas estão mordidas, há incômodos na instalação. Mas o preço é bom
2023-01-10 13:14
Novo e tudo testado ok
2023-01-12 21:46
Produto recebido conforme a descrição, prazos de entrega rápidos, tudo bom e funcionando.
United States
