C4D20120A
Active - DIODE SIL CARB 1.2KV 54.5A TO220
Descrição:
DIODE SIL CARB 1.2KV 54.5A TO220
C4D20120A Especificação
Atributo do Produto
Valor do Atributo
Tipo de diodo
Silicon Carbide Schottky
Tensão - DC reversa (Vr) (Max)
1200 V
Corrente - Média retificada (Io)
54.5A
Tensão - direta (Vf) (Max) @ If
1.8 V @ 20 A
Velocidade
No Recovery Time >500mA (Io)
Tempo de recuperação reversa (trr)
0 ns
Corrente - Vazamento reverso @ Vr
200 μA @ 1200 V
Capacitância @ Vr, F
1500pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote do dispositivo do fornecedor
TO-220-2
Temperatura operacional - Junção
-55 ℃ ~ 175 ℃
United States
