C6D08065E
Active - DIODE SIL CARB 650V 29A TO252-2
Descrição:
DIODE SIL CARB 650V 29A TO252-2
C6D08065E Especificação
Atributo do Produto
Valor do Atributo
Tipo de diodo
Silicon Carbide Schottky
Tensão - DC reversa (Vr) (Max)
650 V
Corrente - Média retificada (Io)
29A
Tensão - direta (Vf) (Max) @ If
1.5 V @ 8 A
Velocidade
No Recovery Time >500mA (Io)
Tempo de recuperação reversa (trr)
0 ns
Corrente - Vazamento reverso @ Vr
40 μA @ 650 V
Capacitância @ Vr, F
518pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Caixa
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacote do dispositivo do fornecedor
TO-252-2
Temperatura operacional - Junção
-55 ℃ ~ 175 ℃
C6D08065E Inventário: 47780
5.0 / 5.0
2021-07-09 02:45
Bem recebido, ainda não testado
2021-12-03 00:22
Eu encomendo 10pcs. Agora teste três chips e dois foi ID 0x441, que é STM32F412, não STM32F407. Estou muito desapontado.
2021-12-27 06:22
Os bens estão muito satisfeitos, o vendedor Muito obrigado.
2021-06-10 07:32
Recuar em 89 dias, tira, para testar
2021-11-23 06:50
Tudo ok, obrigado!
France
