CAB006M12GM3
Active - 1200V 2B HALF-BRIDGE
Descrição:
1200V 2B HALF-BRIDGE
CAB006M12GM3 Especificação
Atributo do Produto
Valor do Atributo
Tipo FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Recurso FET
Silicon Carbide (SiC)
Drenagem para tensão de fonte (Vdss)
1200V (1.2kV)
Corrente - Drenagem contínua (Id) @ 25 ℃
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.9mOhm @ 200A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.6V @ 69mA
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
20400pF @ 800V
Temperatura operacional
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo de montagem
Chassis Mount
Pacote do dispositivo do fornecedor
-
CAB006M12GM3 Inventário: 22560
5.0 / 5.0
2021-12-27 06:22
Os bens estão muito satisfeitos, o vendedor Muito obrigado.
2021-06-10 07:32
Recuar em 89 dias, tira, para testar
2021-11-23 06:50
Tudo ok, obrigado!
2021-12-23 03:52
Está bem. Recebido dentro do prazo
2021-02-06 23:42
Recebido perfeitamente. Soldada uma unidade em sua placa de circuito impresso correspondente funcionando perfeitamente para substituir uma unidade defeituosa em uma placa Arduino Nano.
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