EPC2105
Active - GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
Descrição:
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
EPC2105 Especificação
Atributo do Produto
Valor do Atributo
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tipo FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Recurso FET
GaNFET (Gallium Nitride)
Drenagem para tensão de fonte (Vdss)
80V
Corrente - Drenagem contínua (Id) @ 25 ℃
9.5A, 38A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
(Max) @ Vgs
2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
Temperatura operacional
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote do dispositivo do fornecedor
Die
EPC2105 Inventário: 14160
5.0 / 5.0
2023-01-10 23:54
Fazer as malas bem, vou exagerar.
2023-01-10 23:27
Tudo correto, envio rápido.
2023-01-10 09:19
Envio rápido. Perfeito!
2023-01-11 13:44
Espero que funcionem bem, nunca tentei
2022-10-13 07:23
Perfeito: envio rápido para a Itália, item conforme descrito.
Netherlands
