EPC2111
Active - GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
Descrição:
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
EPC2111 Especificação
Atributo do Produto
Valor do Atributo
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tipo FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Recurso FET
GaNFET (Gallium Nitride)
Drenagem para tensão de fonte (Vdss)
30V
Corrente - Drenagem contínua (Id) @ 25 ℃
16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 5mA
(Max) @ Vgs
2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
230pF @ 15V, 590pF @ 15V
Temperatura operacional
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote do dispositivo do fornecedor
Die
EPC2111 Inventário: 42120
5.0 / 5.0
2023-01-12 21:46
Produto recebido conforme a descrição, prazos de entrega rápidos, tudo bom e funcionando.
2023-01-11 19:52
Estou muito satisfeito
2023-01-10 23:54
Fazer as malas bem, vou exagerar.
2023-01-10 23:27
Tudo correto, envio rápido.
2023-01-10 09:19
Envio rápido. Perfeito!
Italy
