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K4EBE304EB-EGCG

EOL - IC DRAM LPDDR3 32 Gb 2133 Mbps

Fabricante:

Samsung Semiconductor

Parte Mfr #

K4EBE304EB-EGCG

Categoria:

Memória

Ficha Técnica:

K4EBE304EB-EGCG

Descrição:

IC DRAM LPDDR3 32 Gb 2133 Mbps

K4EBE304EB-EGCG Especificação

Atributo do Produto

Valor do Atributo

Categoria

Memória

Fabricante

Samsung Semiconductor

Série

-

Embalagem

Tray

Estado do Produto

EOL

Tipo de memória

Volatile

Formato de memória

DRAM

Tecnologia

LPDDR3

Tamanho da memória

32 Gb

Organização da memória

x32

Interface de memória

Parallel

Frequência do relógio

-

Tempo de ciclo de gravação - Palavra, página

-

Tempo de acesso

-

Tensão - Alimentação

1.8 / 1.2 / 1.2 V

Temperatura operacional

-25 ~ 85 ℃

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote / caixa

178 FBGA

Pacote de dispositivo do fornecedor

178 FBGA

K4EBE304EB-EGCG Inventário: 15590

Histórico Preço

0

5.0 / 5.0

Charles Reed

United States

2021-12-31 23:06

Bom produto e funcionar corretamente.

Quentin Giraud

France

2021-07-09 02:45

Bem recebido, ainda não testado

Jukka Laakso

Finland

2021-12-03 00:22

Eu encomendo 10pcs. Agora teste três chips e dois foi ID 0x441, que é STM32F412, não STM32F407. Estou muito desapontado.

Kęstutis Darius

Lithuania

2021-12-27 06:22

Os bens estão muito satisfeitos, o vendedor Muito obrigado.

Justine Perrin

France

2021-06-10 07:32

Recuar em 89 dias, tira, para testar

K4EBE304EB-EGCG

K4EBE304EB-EGCG Especificação

K4EBE304EB-EGCG Inventário: 15590

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