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K4EBE304ED-EGCG

EOL - IC DRAM LPDDR3 32 Gb 2133 Mbps

Fabricante:

Samsung Semiconductor

Parte Mfr #

K4EBE304ED-EGCG

Categoria:

Memória

Ficha Técnica:

K4EBE304ED-EGCG

Descrição:

IC DRAM LPDDR3 32 Gb 2133 Mbps

K4EBE304ED-EGCG Especificação

Atributo do Produto

Valor do Atributo

Categoria

Memória

Fabricante

Samsung Semiconductor

Série

-

Embalagem

Tray

Estado do Produto

EOL

Tipo de memória

Volatile

Formato de memória

DRAM

Tecnologia

LPDDR3

Tamanho da memória

32 Gb

Organização da memória

x32

Interface de memória

Parallel

Frequência do relógio

-

Tempo de ciclo de gravação - Palavra, página

-

Tempo de acesso

-

Tensão - Alimentação

1.8 / 1.2 / 1.2 V

Temperatura operacional

-25 ~ 85 ℃

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote / caixa

178 FBGA

Pacote de dispositivo do fornecedor

178 FBGA

K4EBE304ED-EGCG Inventário: 16050

Histórico Preço

0

5.0 / 5.0

Lotte van der Veen

Netherlands

2021-11-23 06:50

Tudo ok, obrigado!

Hugo

Spain

2021-12-23 03:52

Está bem. Recebido dentro do prazo

Felipe Soto

Spain

2021-02-06 23:42

Recebido perfeitamente. Soldada uma unidade em sua placa de circuito impresso correspondente funcionando perfeitamente para substituir uma unidade defeituosa em uma placa Arduino Nano.

Katharina Schneider

Germany

2021-08-04 23:28

2 semanas para a entrega. As fichas funcionam bem

Paul Roy

France

2021-11-04 06:37

Corresponde ao meu uso

K4EBE304ED-EGCG

K4EBE304ED-EGCG Especificação

K4EBE304ED-EGCG Inventário: 16050

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