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K4F2E3S4HA-TFCL

Active - IC DRAM LPDDR4 12 Gb 4266 Mbps

Fabricante:

Samsung Semiconductor

Parte Mfr #

K4F2E3S4HA-TFCL

Categoria:

Memória

Ficha Técnica:

K4F2E3S4HA-TFCL

Descrição:

IC DRAM LPDDR4 12 Gb 4266 Mbps

K4F2E3S4HA-TFCL Especificação

Atributo do Produto

Valor do Atributo

Categoria

Memória

Fabricante

Samsung Semiconductor

Série

-

Embalagem

Tray

Estado do Produto

Active

Tipo de memória

Volatile

Formato de memória

DRAM

Tecnologia

LPDDR4

Tamanho da memória

12 Gb

Organização da memória

x32

Interface de memória

Parallel

Frequência do relógio

-

Tempo de ciclo de gravação - Palavra, página

-

Tempo de acesso

-

Tensão - Alimentação

1.8 / 1.1 / 1.1 V

Temperatura operacional

-40 ~ 95 ℃

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote / caixa

200 FBGA

Pacote de dispositivo do fornecedor

200 FBGA

K4F2E3S4HA-TFCL Inventário: 37530

Histórico Preço

0

5.0 / 5.0

Hugo

Spain

2021-12-23 03:52

Está bem. Recebido dentro do prazo

Felipe Soto

Spain

2021-02-06 23:42

Recebido perfeitamente. Soldada uma unidade em sua placa de circuito impresso correspondente funcionando perfeitamente para substituir uma unidade defeituosa em uma placa Arduino Nano.

Katharina Schneider

Germany

2021-08-04 23:28

2 semanas para a entrega. As fichas funcionam bem

Paul Roy

France

2021-11-04 06:37

Corresponde ao meu uso

Laura Cristina

Spain

2021-07-11 09:01

Testado, funciona como esperado.

K4F2E3S4HA-TFCL

K4F2E3S4HA-TFCL Especificação

K4F2E3S4HA-TFCL Inventário: 37530

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