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K4F4E3S4HF-GHCJ

Active - IC DRAM LPDDR4 4 Gb 3733 Mbps

Fabricante:

Samsung Semiconductor

Parte Mfr #

K4F4E3S4HF-GHCJ

Categoria:

Memória

Ficha Técnica:

K4F4E3S4HF-GHCJ

Descrição:

IC DRAM LPDDR4 4 Gb 3733 Mbps

K4F4E3S4HF-GHCJ Especificação

Atributo do Produto

Valor do Atributo

Categoria

Memória

Fabricante

Samsung Semiconductor

Série

-

Embalagem

Tray

Estado do Produto

Active

Tipo de memória

Volatile

Formato de memória

DRAM

Tecnologia

LPDDR4

Tamanho da memória

4 Gb

Organização da memória

x32

Interface de memória

Parallel

Frequência do relógio

-

Tempo de ciclo de gravação - Palavra, página

-

Tempo de acesso

-

Tensão - Alimentação

1.8 / 1.1 / 1.1 V

Temperatura operacional

-40 ~ 105 ℃

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote / caixa

200 FBGA

Pacote de dispositivo do fornecedor

200 FBGA

K4F4E3S4HF-GHCJ Inventário: 1740

Histórico Preço

0

5.0 / 5.0

Lotte van der Veen

Netherlands

2021-11-23 06:50

Tudo ok, obrigado!

Hugo

Spain

2021-12-23 03:52

Está bem. Recebido dentro do prazo

Felipe Soto

Spain

2021-02-06 23:42

Recebido perfeitamente. Soldada uma unidade em sua placa de circuito impresso correspondente funcionando perfeitamente para substituir uma unidade defeituosa em uma placa Arduino Nano.

Katharina Schneider

Germany

2021-08-04 23:28

2 semanas para a entrega. As fichas funcionam bem

Paul Roy

France

2021-11-04 06:37

Corresponde ao meu uso

K4F4E3S4HF-GHCJ

K4F4E3S4HF-GHCJ Especificação

K4F4E3S4HF-GHCJ Inventário: 1740

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